ઉત્પાદન
ચિપ રેઝિસ્ટર
ચિપ રેઝિસ્ટર
રેટેડ પાવર: 2-30 ડબલ્યુ;
સબસ્ટ્રેટ સામગ્રી: બીઓ, એએલએન, એએલ 2 ઓ 3
નજીવી પ્રતિકાર મૂલ્ય: 100 Ω (10-3000 Ω વૈકલ્પિક)
પ્રતિકાર સહનશીલતા:%5%, ± 2%, ± 1%
તાપમાન ગુણાંક: ＜ 150pm/℃
ઓપરેશન તાપમાન: -55 ~+150 ℃
આરઓએચએસ ધોરણ: સાથે સુસંગત
લાગુ ધોરણ: Q/RFTYTR001-2022
આધાર સામગ્રી
| શક્તિ (ડબલ્યુ) | પરિમાણ (એકમ: મીમી) | અનશૂરત સામગ્રી | ગોઠવણી | ડેટા શીટ (પીડીએફ) | ||||
| A | B | C | D | H | ||||
| 2 | 2.2 | 1.0 | 0.5 | એન/એ | 0.4 | બ્યુઝ | આકૃતિ | RFTXX-02CR1022 બી |
| 5.0 | 2.5 | 1.25 | એન/એ | 1.0 | અણીદાર | આકૃતિ | RFTXXN-02CR2550B | |
| 3.0 3.0 | 1.5 | 0.3 | 1.5 | 0.4 | અણીદાર | મૂર્તિ | Rftxxn-02cr1530c | |
| 6.5 6.5 | 3.0 3.0 | 1.00 | એન/એ | 0.6 | Al2O3 | આકૃતિ | Rftxxa-02cr3065 બી | |
| 5 | 2.2 | 1.0 | 0.4 | 0.6 | 0.4 | બ્યુઝ | મૂર્તિ | RFTXX-05CR1022C |
| 3.0 3.0 | 1.5 | 0.3 | 1.5 | 0.38 | અણીદાર | મૂર્તિ | Rftxxn-05cr1530c | |
| 5.0 | 2.5 | 1.25 | એન/એ | 1.0 | બ્યુઝ | આકૃતિ | આરએફટીએક્સએક્સ -05 સીઆર 2550 બી | |
| 5.0 | 2.5 | 1.3 | 1.0 | 1.0 | બ્યુઝ | મૂર્તિ | આરએફટીએક્સએક્સ -05 સીઆર 2550 સી | |
| 5.0 | 2.5 | 1.3 | એન/એ | 1.0 | બ્યુઝ | આકૃતિ | RFTXX-05CR2550W | |
| 6.5 6.5 | 6.5 6.5 | 1.0 | એન/એ | 0.6 | Al2O3 | આકૃતિ | RFTXXA-05CR6565B | |
| 10 | 5.0 | 2.5 | 2.12 | એન/એ | 1.0 | અણીદાર | આકૃતિ | RFTXXN-10CR2550TA |
| 5.0 | 2.5 | 2.12 | એન/એ | 1.0 | બ્યુઝ | આકૃતિ | RFTXX-10CR2550TA | |
| 5.0 | 2.5 | 1.0 | 2.0 | 1.0 | અણીદાર | મૂર્તિ | RFTXXN-10CR2550C | |
| 5.0 | 2.5 | 1.0 | 2.0 | 1.0 | બ્યુઝ | મૂર્તિ | આરએફટીએક્સએક્સ -10 સીઆર 2550 સી | |
| 5.0 | 2.5 | 1.25 | એન/એ | 1.0 | બ્યુઝ | આકૃતિ | RFTXX-10CR2550W | |
| 20 | 5.0 | 2.5 | 2.12 | એન/એ | 1.0 | અણીદાર | આકૃતિ | Rftxxn-20cr2550ta |
| 5.0 | 2.5 | 2.12 | એન/એ | 1.0 | બ્યુઝ | આકૃતિ | RFTXX-20CR2550TA | |
| 5.0 | 2.5 | 1.0 | 2.0 | 1.0 | અણીદાર | મૂર્તિ | RFTXXN-20CR2550C | |
| 5.0 | 2.5 | 1.0 | 2.0 | 1.0 | બ્યુઝ | મૂર્તિ | RFTXX-20CR2550C | |
| 5.0 | 2.5 | 1.25 | એન/એ | 1.0 | બ્યુઝ | આકૃતિ | RFTXXN-20CR2550W | |
| 30 | 5.0 | 2.5 | 2.12 | એન/એ | 1.0 | બ્યુઝ | આકૃતિ | RFTXX-30CR2550TA |
| 5.0 | 2.5 | 1.0 | 2.0 | 1.0 | અણીદાર | મૂર્તિ | RFTXX-30CR2550C | |
| 5.0 | 2.5 | 1.25 | એન/એ | 1.0 | બ્યુઝ | આકૃતિ | RFTXXN-30CR2550W | |
| 6.35 | 6.35 | 1.0 | 2.0 | 1.0 | બ્યુઝ | મૂર્તિ | RFTXX-30C6363C | |
નકામો
ચિપ રેઝિસ્ટર, જેને સપાટી માઉન્ટ રેઝિસ્ટર તરીકે પણ ઓળખવામાં આવે છે, તે ઇલેક્ટ્રોનિક ઉપકરણો અને સર્કિટ બોર્ડમાં વ્યાપકપણે ઉપયોગમાં લેવાય છે. તેની મુખ્ય લાક્ષણિકતા પિનના છિદ્ર અથવા સોલ્ડરિંગની જરૂરિયાત વિના, સપાટી માઉન્ટ ટેકનોલોજી (એસએમડી) દ્વારા સર્કિટ બોર્ડ પર સીધી ઇન્સ્ટોલ કરવાની છે.
પરંપરાગત રેઝિસ્ટરની તુલનામાં, અમારી કંપની દ્વારા ઉત્પાદિત ચિપ રેઝિસ્ટરમાં નાના કદ અને ઉચ્ચ શક્તિની લાક્ષણિકતાઓ છે, જે સર્કિટ બોર્ડની ડિઝાઇનને વધુ કોમ્પેક્ટ બનાવે છે.
સ્વચાલિત ઉપકરણોનો ઉપયોગ માઉન્ટ કરવા માટે થઈ શકે છે, અને ચિપ રેઝિસ્ટર્સમાં ઉત્પાદનની વધુ કાર્યક્ષમતા હોય છે અને તે મોટા પ્રમાણમાં ઉત્પન્ન થઈ શકે છે, જે તેમને મોટા પાયે ઉત્પાદન માટે યોગ્ય બનાવે છે.
ઉત્પાદન પ્રક્રિયામાં ઉચ્ચ પુનરાવર્તિતતા છે, જે સ્પષ્ટીકરણ સુસંગતતા અને સારી ગુણવત્તા નિયંત્રણની ખાતરી કરી શકે છે.
ચિપ રેઝિસ્ટર્સમાં ઓછી ઇન્ડક્ટન્સ અને કેપેસિટીન્સ હોય છે, જે તેમને ઉચ્ચ-આવર્તન સિગ્નલ ટ્રાન્સમિશન અને આરએફ એપ્લિકેશનમાં ઉત્તમ બનાવે છે.
ચિપ રેઝિસ્ટર્સનું વેલ્ડીંગ કનેક્શન વધુ સુરક્ષિત અને યાંત્રિક તાણ માટે ઓછું સંવેદનશીલ છે, તેથી તેમની વિશ્વસનીયતા સામાન્ય રીતે પ્લગ-ઇન રેઝિસ્ટર્સ કરતા વધારે હોય છે.
કમ્યુનિકેશન ડિવાઇસીસ, કમ્પ્યુટર હાર્ડવેર, કન્ઝ્યુમર ઇલેક્ટ્રોનિક્સ, ઓટોમોટિવ ઇલેક્ટ્રોનિક્સ, વગેરે સહિતના વિવિધ ઇલેક્ટ્રોનિક ઉપકરણો અને સર્કિટ બોર્ડમાં વ્યાપકપણે ઉપયોગ થાય છે.
ચિપ રેઝિસ્ટર્સને પસંદ કરતી વખતે, પ્રતિકાર મૂલ્ય, પાવર ડિસીપિશન ક્ષમતા, સહનશીલતા, તાપમાન ગુણાંક અને પેકેજિંગ પ્રકાર જેવા વિશિષ્ટતાઓને ધ્યાનમાં લેવી જરૂરી છે, એપ્લિકેશન આવશ્યકતાઓ અનુસાર
